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P沟道功率MOSFETs及其应用

发表时间:2024-04-08 10:20:18 浏览:53

Littelfuse P沟道功率MOSFETs,虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名,在传统的应用范围也较有限,然而,随着低压(LV)应用需求的增加, P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧(HS)应用P沟道的简易性使其对低压变换器(<120V)和非隔离的负载点更具吸引力。


因为无需电荷泵或额外的电压源,高端侧(HS)P沟道MOSFET易于驱动,具有设计简单、节省空间,零件数量少等特点,提升了成本效率。本文通过对N沟道和P沟道MOSFETs进行比较,介绍Littelfuse P沟道功率MOSFETs,探究其目标应用。

N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析 


MOSFET截面图(如图1)表明N沟道和P沟道功率MOSFETs之间的差异。N沟道MOSFET需要栅极和源极(Vgs)间施加正电压才能导通,而P沟道MOSFET则需要负Vgs电压。两者的主要区别在于反向掺杂物质:P沟道MOSFETs依赖空穴为主要电荷载流子而产生空穴电流,而N沟道器件利用电子产生电子流。由于N沟道的电子迁移率大约是空穴的2~3倍,因此,在P沟道器件中移动空穴比在N沟道器件中移动电子,更具挑战性。这也是P沟道MOSFET具有更高通态电阻的原因。因此,对于和N沟道相同芯片尺寸的P沟道MOSFETs而言,实现相同的通态电阻(RDS(on)),是不太现实。